MCT5211M

功能描述:高速光耦合器 Phototransistor

RoHS:

制造商:Avago Technologies

电流传递比:

最大波特率:

最大正向二极管电压:1.75 V

最大反向二极管电压:5 V

最大功率耗散:40 mW

最大工作温度:+125 C

最小工作温度:- 40 C

封装 / 箱体:SOIC-5

封装:Tube

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